900nm Si PIN fotodiood
Funktsioonid
- Esiküljel valgustatud konstruktsioon
- Madal tume vool
- Kõrge vastukaja
- Kõrge töökindlus
Rakendused
- Kiudoptiline side, tuvastamine ja ulatuse määramine
- Optiline tuvastamine UV-lt NIR-ile
- Kiire optilise impulsi tuvastamine
- Juhtimissüsteemid tööstusele
Fotoelektriline parameeter (@Ta=25℃)
| Üksus nr | Paketi kategooria | Valgustundliku pinna läbimõõt (mm) | Spektri reaktsioonivahemik (nm) |
Tippreaktsiooni lainepikkus (nm) | Vastupidavus (A/W) λ = 900 nm
| Tõusuaeg λ = 900 nm VR= 15 V RL=50Ω (ns) | Tume vool VR= 15 V (nA) | Ühenduse mahtuvus VR= 15 V f = 1 MHz (pF) | Läbilöögipinge (V)
|
| GT101Ф0.2 | Koaksiaaltüüp II, 5501, TO-46, Pistiku tüüp | Ф0.2 |
4–1100 |
930
| 0,63 | 4 | 0.1 | 0.8 | >200 |
| GT101Ф0,5 | Ф0,5 | 5 | 0.1 | 1.2 | |||||
| GT101Ф1 | Ф1.0 | 5 | 0.1 | 2.0 | |||||
| GT101Ф2 | TO-5 | Ф2.0 | 7 | 0.5 | 6.0 | ||||
| GT101Ф4 | T0-8 | Ф4.0 | 10 | 1.0 | 20.0 | ||||
| GD3251Y | TO-8 | Ф6.0 | 20 | 10 | 30 | ||||
| GT101Ф8 | T0-8 | Ф8.0 | 20 | 3.0 | 70,0 | ||||
| GD3252Y | T0-8 | 5,8 × 5,8 | 25 | 10 | 35 |
