905nm APD

Mudel: GD5210Y-2-2-TO46/ GD5210Y-2-5-TO46/ GD5210Y-2-8-TO46/ GD5210Y-2-2-LCC3/ GD5210Y-2-5-LCC3/ GD5210Y-2-2-P/ GD5210Y-2-5-P/ massiiv

See on Si laviini fotodiood, mis tagab kõrge tundlikkuse UV-st NIR-ni.Maksimaalse reaktsiooni lainepikkus on 905 nm.

saada hinnapakkumine Lae alla

Tehniline parameeter

Üksus nr	Paketi kategooria	Valgustundliku pinna läbimõõt (mm)	Spektri reaktsiooni vahemik (nm)	Tippreaktsiooni lainepikkus (nm)	Vastuvõtlikkus λ = 905 nm φe=1μW M = 100 (A/W)	Reaktsiooniaeg λ = 905 nm R_L=50Ω (ns)	Tume vool M = 100 (nA)		Temperatuuri koefitsient Ta = -40 ℃ - 85 ℃ (V/℃)	Kogumahtuvus M = 100 f = 1 MHz (pF)	Lagunema Pinge I_R=10μA (V)
Üksus nr	Paketi kategooria	Valgustundliku pinna läbimõõt (mm)	Spektri reaktsiooni vahemik (nm)	Tippreaktsiooni lainepikkus (nm)	Vastuvõtlikkus λ = 905 nm φe=1μW M = 100 (A/W)	Reaktsiooniaeg λ = 905 nm R_L=50Ω (ns)	Tüüp.	Max	Temperatuuri koefitsient Ta = -40 ℃ - 85 ℃ (V/℃)	Kogumahtuvus M = 100 f = 1 MHz (pF)	Min	Max
GD5210Y-2-2-TO46	TO-46	0,23	400–1100	905	55	0.6	0.2	1.0	0.9	1.0	130	220
GD5210Y-2-5-TO46	TO-46	0,50					0.4	1.0		1.2
GD5210Y-2-8-TO46	TO-46	0,80					0.8	2.0		2.0
GD5210Y-2-2-LCC3	LCC3	0,23					0.2	1.0		1.0
GD5210Y-2-5-LCC3	LCC3	0,50					0.4	1.0		1.2
GD5210Y-2-2-P	Plastpakend	0,23					0.2	1.0		1.0
GD5210Y-2-5-P	Plastpakend	0,50					0.4	1.0		1.2
Massiiv	PCB	Kohandatud				Vastavalt valgustundlikule pinnale	Vastavalt valgustundlikule pinnale			Vastavalt valgustundlikule pinnale	160	200