1064nmAPD ühe toru seeria
| Fotoelektrilised omadused (＠Ta＝22±3℃) | |||||
| Mudel | GD5210Y-3-500 | GD5210Y-3-800 | GD5211Y | ||
| Pakendi vorm | TO-46 | TO-46 | TO-52 | ||
| Valgustundliku pinna läbimõõt (mm) | 0.5 | 0.8 | 0.8 | ||
| Spektri reaktsiooni vahemik (nm) | 400-1100 | 400-1100 | 400-1100 | ||
| Maksimaalse reaktsiooni lainepikkus (nm) | 980 | 980 | 980 | ||
| Vastuvõtlikkus | λ=905nm Φ=1μW M = 100 | 58 | 58 | 58 | |
| λ=1064nm Φ=1μW M = 100 | 36 | 36 | 36 | ||
| Tume vool M = 100 (nA) | Tüüpiline | 2 | 4 | 10 | |
| Maksimaalne | 20 | 20 | 20 | ||
| Reageerimisaeg λ=800nm R1=50Ω(ns) | 2 | 3 | 3.5 | ||
|
Tööpinge temperatuuri koefitsient T=-40 ℃ ~ 85 ℃ (V/℃) | 2.2 | 2.2 | 2.2 | ||
| Kogumahtuvus M = 100 f = 1 MHz (pF) | 1.0 | 1.5 | 3.5 | ||
| Läbilöögipinge IR = 10 μA (V) | Minimaalne | 220 | 220 | 350 | |
| Maksimaalne | 580 | 580 | 500 | ||
Esitasandi kiibi struktuur
Kõrge reageerimissagedus
Kõrge kasum
Laserkauguse määramine
Lidar
Laserhoiatus
Esitasandi kiibi struktuur
Kõrge reageerimissagedus
Kõrge kasum
Laserkauguse määramine
Lidar
Laserhoiatus
