1064 nm APD moodulite esiletõstetud pilt

1064nm APD moodulid

Mudel: GD6212Y/ GD6213Y/ GD6219Y

Lühike kirjeldus:

See on täiustatud Si laviini fotodioodmoodul koos eelvõimendusahelaga, mis võimaldab nõrga voolu signaali võimendada ja pingesignaaliks teisendada, et saavutada footon-fotoelektrilise signaali võimenduse muundamise protsess.

saada hinnapakkumine Lae alla

Tehniline parameeter

Tootesildid

Funktsioonid

Esiküljel valgustatud lame kiip
Kiire reageerimine
Kõrge APD võimendus

Rakendused

Laserkauguse määramine
Laser side
Laserhoiatus

Fotoelektriline parameeter (@Ta=22±3℃)

Üksus nr	Paketi kategooria	Valgustundliku pinna läbimõõt (mm)	Spektri reaktsioonivahemik (nm)	Läbilöögipinge (V)	Vastuvõtlikkus M = 100 λ = 1064 nm (kV/W)	Tõusuaeg (ns)	Ribalaius (MHz)	Temperatuuri koefitsient Ta = -40 ℃ - 85 ℃ (V/℃)	Müra ekvivalentvõimsus (pW/√Hz)	Kontsentrilisus (μm)	Teistes riikides asendatud tüüp
GD6212Y	TO-8	0.8	40–1100	350-500	150	8.8	40	2.2	0,15	≤50	C30950
GD6213Y		0.8			200	2	175	2.2	0,15		C30659-1060-R8BH
GD6219Y		3			280	7	50	2.4	0.27		C30659-1060-3A