TOODETE tehas, tarnijad – Hiina TOOTEtootjad

InGaAs APD moodulid

See on eelvõimendusahelaga indium-galliumarseniidi laviini fotodioodi moodul, mis võimaldab nõrga voolu signaali võimendada ja pingesignaaliks teisendada, et saavutada footon-fotoelektrilise signaali võimenduse muundamise protsess.

PÄRING detail
Neljakvadrandiline APD

See koosneb neljast samast Si laviini fotodioodi ühikust, mis tagab kõrge tundlikkuse UV-st NIR-ni.Maksimaalse reaktsiooni lainepikkus on 980 nm.Reageerivus: 40 A/W 1064 nm juures.

PÄRING detail
Neljakvadrandilised APD moodulid

See koosneb neljast samast Si laviini fotodioodi ühikust koos eelvõimendusahelaga, mis võimaldab nõrga voolu signaali võimendada ja pingesignaaliks teisendada, et saavutada footon-fotoelektrilise signaali võimenduse muundamise protsess.

PÄRING detail
850nm Si PIN moodulid

See on 850 nm Si PIN fotodioodmoodul koos eelvõimendusahelaga, mis võimaldab nõrga voolu signaali võimendada ja teisendada pingesignaaliks, et saavutada footon-fotoelektrilise signaali võimenduse muundamise protsess.

PÄRING detail
900nm Si PIN fotodiood

See on Si PIN-fotodiood, mis töötab vastupidise eelpingega ja tagab kõrge tundlikkuse UV-st NIR-ni.Maksimaalse reaktsiooni lainepikkus on 930 nm.

PÄRING detail
1064nm Si PIN fotodiood

See on Si PIN-fotodiood, mis töötab vastupidise eelpingega ja tagab kõrge tundlikkuse UV-st NIR-ni.Maksimaalse reaktsiooni lainepikkus on 980 nm.Reageerivus: 0,3A/W 1064 nm juures.

PÄRING detail
Fiber Si PIN moodulid

Optiline signaal muundatakse voolusignaaliks, sisestades optilise kiu.Si PIN-moodul on eelvõimendusahelaga, mis võimaldab nõrga voolusignaali võimendada ja teisendada pingesignaaliks, et saavutada footon-fotoelektrilise signaali võimenduse muundamise protsess.

PÄRING detail
Neljakvadrandiline Si PIN

See koosneb neljast samast Si PIN-fotodioodi ühikust, mis töötab tagurpidi ja tagab kõrge tundlikkuse UV-st NIR-ni.Maksimaalse reaktsiooni lainepikkus on 980 nm.Reageerivus: 0,5 A/W 1064 nm juures.

PÄRING detail
Neljakvadrandilised Si PIN-moodulid

See koosneb neljast ühe- või kahekordsest Si PIN-fotodioodi ühikust koos eelvõimendusahelaga, mis võimaldab nõrga voolu signaali võimendada ja teisendada pingesignaaliks, et saavutada footon-fotoelektrilise signaali võimenduse muundamise protsess.

PÄRING detail
UV-kiirgusega täiustatud Si PIN

See on täiustatud UV-kiirgusega Si PIN-fotodiood, mis töötab tagurpidi ja tagab kõrge tundlikkuse UV-st NIR-ni.Maksimaalse reaktsiooni lainepikkus on 800 nm.Reageerivus: 0,15 A/W 340 nm juures.

PÄRING detail
1064nm YAG laser -15mJ-5

See on passiivselt Q-lülitusega Nd: YAG laser, mille lainepikkus on 1064 nm, tippvõimsus ≥15 mJ, impulsi kordussagedus 1–5 Hz (reguleeritav) ja lahknemisnurk ≤ 8 mrad.Lisaks on see väike ja kerge laser, mis suudab saavutada suure energiaväljundi, mis võib olla ideaalne valgusallikas kauguse jaoks teatud stsenaariumide jaoks, mille mahu ja kaalu suhtes on ranged nõuded, nagu näiteks individuaalne võitlus ja mõne stsenaariumi korral UAV.

PÄRING detail
1064nm YAG Laser-15mJ-20

See on passiivselt Q-lülitusega Nd：YAG laser, mille lainepikkus on 1064 nm, tippvõimsus ≥15mJ ja lahknemisnurk ≤8mrad.Lisaks on see väike ja kerge laser, mis võib olla ideaalne pikamaa valgusallikas kõrge sagedusega (20 Hz).

PÄRING detail